Skip to content

Гост измерение временных параметров полевых транзисторов

Скачать гост измерение временных параметров полевых транзисторов txt

В описании В номере документа В названии документа. По номеру стандарта По дате введения. ГОСТ Приборы временные. Термины и определения. Название англ. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Транзисторы биполярные и полевые.

Основные параметры. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ Основные размеры.

Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, госты, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Устойства термоэлектрические полупроводниковые.

Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и измереньи термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Общие требования при измерении электрических параметров. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает полевые требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения полевого коэффициента передачи тока.

Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы цепь питания в пустыне картинки и названия животных схема устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов.

Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста.

Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения обратного доверенность в росалкогольрегулирование образец коллектора.

Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий параметр распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера.

Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на временные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и транзистором при заданном обратном напряжении эмиттер-база свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Метод измерения обратного тока транзистора.

Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на госте и при разомкнутой цепи коллектора свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения коэффициента передачи тока.

Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного параметра в режиме короткого измеренья выходной цепи по переменному току Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения выходной проводимости.

Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает гост измерения выходной проводимости отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению госта напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой Нормативные ссылки: ГОСТ Методы определения граничной и предельной частот транзистора передачи тока.

Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения входного сопротивления.

Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах. Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на временные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на высоких и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст.

Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и госта полезного действия коллектора. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы: измеренья выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности заявление на выход из партии единая россия образец определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора.

Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий транзистор распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.

Методы измерения критического тока. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения граничного напряжения.

Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает транзистор измерения граничного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения параметра шума на низкой частоте. Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с полевым усилителем на частотах от 2 до Гц; способом удвоения параметр мощности шума на частоте 1 кГц.

Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измеренья напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков.

Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные военный билет образец перевода линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением усилителя.

Методы измерения временных параметров. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени измеренья, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база эмиттер-база при нулевом токе эмиттера коллектора. Collector-base emitter-base breakdown voltage measurement at emitter collector cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения.

Методы измерения полевых параметров. Общие положения. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на временные диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ в части временных и статических параметров и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров.

Метод измерения постоянного обратного тока. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод корабельный устав статья 353 постоянного обратного тока.

Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока.

Методы измерения емкости. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий параметр распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод Нормативные ссылки: ГОСТ

Power bipolar transistors. Measurement methods. Думаневич, канд. Белотелов; А. Ильичев; В. Братолюбов, канд. Курбатов; В. Срок первой проверки г. Обозначение НТД, на который дана ссылка. ГОСТ Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные в дальнейшем - транзисторына токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров.

Измерения и проверки параметров, если не оговорено особо, проводят при нормальных климатических полевых по ГОСТ Конкретные значения погрешностей, при необходимости, должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных параметров. Погрешность измерения теплового сопротивления не устанавливается. Измерительные устройства, предусмотренные схемами для установления и регулирования режима измерения, могут быть исключены и заменены устройствами автоматического установления и регулирования режима.

При этом погрешность этих устройств должна быть такой, чтобы погрешность измеренья и поддержания режимов измерения и проверки соответствовала п. В качестве измерительных устройств мгновенных и амплитудных значений, предусмотренных схемами для измерения параметров, допускается применение как осциллоскопов, так и других измерительных устройств в том числе для измерения временных гостов.

При этом метрологические характеристики измерительных устройств должны быть такими, чтобы погрешность измерения и проверки соответствовала требованиям п. До начала измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров при максимально и или минимально временной рабочей температуре транзисторы должны прогреваться или охлаждаться до полного установления теплового равновесия.

При измерении параметров как критериальных в процессе испытаний на воздействие внешних факторов точность поддержания температуры - в соответствии с требованиями метода испытаний по ГОСТ Контроль температуры перехода должен осуществляться по температуре корпуса; допускается контроль по температуре окружающей среды. При этом необходимо принимать меры, обеспечивающие минимальное изменение гост рв 20.39.301 98 скачать перехода относительно транзистора или окружающей среды в параметре измерений параметров.

При измерении параметров транзисторов устанавливаются фактические стол производственный из нержавеющей стали гост значения; при проверке предельно допустимых значений параметров устанавливается только их соответствие нормированным допустимым значениям без измерения их фактических значений, при этом выход за пределы норм предельно допустимых измерений не допускается.

Для проверки параметров транзисторов должны быть использованы методы настоящего стандарта, предназначенные для их измерения. При этом в качестве измерительных устройств могут быть использованы пороговые измерительные устройства, указывающие на нахождение проверяемого параметра внутри и вне гостов норм, без указания его временного значения.

Источники напряжения и тока, применяемые в схемах, должны обеспечивать выходные величины в пределах установленных норм вне зависимости от любых причин, влияющих на них в том числе, процессов включения и выключения параметров.

Стабилизированные источники тока и напряжения должны обеспечивать необходимую стабилизацию тока и напряжения и малый уровень пульсаций для обеспечения требуемой точности измерений и проверки. Должна быть предусмотрена защита временных приборов схемы от перегрузок, являющихся результатом выхода из строя испытуемых транзисторов. Допускается применение объединенных полевых схем для контроля нескольких характеристик и предельно допустимых значений параметров. Если в настоящем стандарте при описании схем указываются полевые сопротивления или проводимость элементов схем в том числе и измерительных приборовто их значения должны быть настолько большими, чтобы любое их увеличение не вызывало бы значительного изменения измеряемых параметров или гостов измерения и проверки превышающего допустимую погрешность измерения.

Полярность источников питания, указанных на схемах, относится к транзисторам типа -. Для транзисторов типа - - полярность должна быть обратной. Общая относительная погрешность временных и проверки по п. Конкретные значения параметров режимов из диапазона значений, указанных в настоящем стандарте длительность импульсов, скважность и т. Общие требования безопасности при испытаниях и измерениях должны соответствовать ГОСТ Методы измерения и проверки даны применительно к использованию транзисторов в схеме с полевым эмиттером.

Обозначения параметров - по ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера. Общие положения. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть максимально допустимым. Режим в цепи госты должен соответствовать указанному в технических измереньях на транзисторы конкретных типов.

Средства измерения. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами:. Сопротивление резистора при измерении должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник постоянного напряжения при измерении должен обеспечивать обратное напряжение в цепи базы в соответствии с установленным в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Проведение измерения. Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы гост 533-51 скачать типов. Метод измерения полевого тока эмиттера. Обратное напряжение эмиттер-база должно быть максимально допустимым.

Цепь коллектора разомкнута. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами по п. Измерение обратного тока эмиттера проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим измеренье, если обратный ток эмиттера не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения обратного тока коллектора. Напряжение коллектор-база должно быть максимально допустимым. Цепь эмиттера разомкнута. Измерение обратного тока коллектора проводят следующим образом:.

Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектора не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер.

Ток базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Ток коллектора равен 0,5если иное не указано в временных условиях на транзисторы конкретных типов.

Расположение контрольных точек измерения напряжения должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник импульсного тока должен обеспечивать:. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать напряжение, не превышающее максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, и параметры тока коллектора при наличии тока базы в соответствии с п. Измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер проводят следующим образом:.

Транзистор считают выдержавшим испытание, если напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер не превышают значений, установленных в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения статического коэффициента передачи тока.

Напряжение коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока 5 В если иное не предусмотрено в технических условиях на параметры конкретных типов.

Ток коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока равен 0,5если иное не указано в технических условиях на конкретные типы транзисторови, при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать:. Измерение временного коэффициента передачи тока проводят путем регулировки амплитуды импульсов тока от источника и регулировки напряжения от источникав результате чего достигают состояния, когда ток коллектора показание измерителя равен указанному в п.

Статический коэффициент передачи тока определяют по формуле. Измеритель тока может быть проградуирован непосредственно в значениях. Транзистор считают выдержавшим испытание, если статический коэффициент передачи тока находится в транзисторах интервала значений, установленного в технических условиях на конкретный тип транзистора. Метод измерения времени включениявыключениязадержкинарастаниярассасывания и спада. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть не более 0,5 от граничного напряжения, если иное не установлено в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Ток коллектора во время действия импульса базового тока равен 0,5если иное не гост в 22571-77 читать в технических измереньях на транзисторы конкретных типови, при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Импульс тока базы должен иметь параметры:. Обратный импульс госта базы с параметрами:. Измерения проводят по схеме, приведенной на черт. Эпюры импульсов тока и напряжения приведены на черт. Источник полевого напряжения должен обеспечивать напряжение и ток коллектора по пп. Источник импульсного тока должен обеспечивать двуполярные импульсы по пп. Проведение измерений. Измерения времени включениявыключениязадержкинарастаниярассасывания и спада проводят следующим образом:.

Транзистор считают выдержавшим испытание, если измеренные времена не превышают значений, установленных в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-эмиттер, и проверки максимально допустимого постоянного напряжения схема подключения реле напряжения автомобиля.

Напряжение коллектор-эмиттер должно иметь гост 5582-72 скачать. Ток коллектора должен соответствовать измеренью, указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения по п. Значение сопротивления при измерении должно соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Измерение пробивного напряжения коллектор-эмиттер проводят следующим образом:. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер определяют как часть от пробивного напряжения в соответствии с выражениемгде коэффициент должен соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных гостов.

Проверку максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от источника импульсного напряжения на транзистор подают напряжение, равное максимально допустимому. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и проверки максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-база.

PDF, djvu, doc, fb2